Fémek kristályrácsában, ahogy az 5.1.3. pontban utaltunk is rá, a rácspontokon pozitív fémionok helyezkednek el, a rácspontok között pedig szabadon – de nem akadálytalanul – elektronok áramlanak. Mivel a fémekben a vegyérték- és vezetési sávok összeolvadnak, az elektronok delokalizált mozgásához nem szükséges extra energia, éppen elegendő számú elektron jut a vezetési sávba. Az áramvezetés azon alapul, hogy a külső elektromos tér hatására megindul a mozgékony elektronok rendezett áramlása. Természetesen nem az összes elektron vesz részt a vezetésben, csupán a vezetési sávban lévő „néhány”. A belső elektronok lokalizáltak, nem vezetnek. A szabad elektronok koncentrációja 1028–1029 elektron/m3, viszont éppen elegendő ahhoz, hogy a fém jól vezesse az elektromosságot. Ugyanakkor a rácsatomok rezgése miatt az elektronok a rácsatomokkal ütköznek, és azokon szóródnak. Ez az effektus az elektronok rendezett áramlása ellen dolgozik, és a hőmérséklet növekedtével egyre erősebb. Mindebből az következik, hogy fémek elektromos ellenállása T növekedésével nő. Úgy becsülhető, hogy ha szobahőmérsékletről 300 °C-ra melegítjük, a fém ellenállása nagyjából a duplájára nő.
A
11.25. ábrán azt látjuk, hogy egy félig betöltött sáv hogyan viselkedik a hőmérséklet növekedése során. Nem árulunk el nagy titkot azzal, hogy az abszolút nulla fokon beálló tökéletes rendezettség a hőmérséklet növekedésével „szétkenődik”, az elektronok fokozatosan egyre magasabb szinteket népesítenek be. Minél nagyobb a hőmérséklet, annál elmosódottabb a határ a betöltött és az üres szintek között. Az ábra jobboldalán látható diagram az egyedi szintek betöltődési valószínűségét mutatja: ha egy szint két elektronnal van betöltve, a p valószínűség 1, ha üres, akkor 0. T=0 fokon a valószínűségi függvénynek éles határa van, hiszen egy szinten vagy két elektron foglal helyet, vagy egy sem. Ez a határ a hőmérséklet növekedésével egyre jobban elmosódik, mivel az eddig kétszeresen betöltött szintek betöltődése csökken, az eddig üresen álló szinteké pedig nő. Az 50%-os betöltési valószínűség azonban (ha feltételezzük a sávban az energiaszintek egyenletes eloszlását) a helyén marad. Ezt az energiaszintet
Fermiszintnek nevezzük.
A szilícium, germánium és még számos anyag tiltott sávjának szélessége nem nulla, ám viszonylag kicsi. Az ilyen anyagokat félvezetőknek nevezzük. A félvezetők elektronokkal telített vegyértéksávjában az elektronok rögzítettek és legfeljebb csak mocorogni képesek, nagy távolságokba eljutni nem. A szabad mozgáshoz az elektronokat a vezetési sávba kell „gerjeszteni”, ahol már vezetési mechanizmusuk hasonló a fémekéhez, hiszen az elektronok itt már teljesen delokalizáltak, vagyis ha a félvezetőre külső feszültséget kapcsolunk, megindul az elektronok szabad áramlása. Az elektronok száma – 1016–1019/m3 – persze ez esetben jóval kisebb, mint a fémekben. Természetesen ezúttal a vegyértéksávból a vezetési sávba való gerjesztés energiabefektetéssel jár, de erre az energiára a statisztikus hőmozgás következtében a hőmérséklettől függően az elektronok szert tehetnek.
A gyémánt tiltott sávja igen széles. Az elektronok ebben az esetben is csak a vezetési sávban mozoghatnának. És minthogy a gyémánt vezetési sávjában nincsenek, és könnyen nem is kerülhetnek elektronok, nem is képes az elektromosságot vezetni: a gyémánt szigetelő.
A vezetők, félvezetők és szigetelők vezetőképessége között hatalmas, kb. 30 nagyságrend különbség van (
11.26. ábra).
A félvezetők vezetési mechanizmusa más, mint a fémeké. T=0 K-en nincs vezetés, mivel a vezetési sáv üres (
11.27. ábra). A hőmérséklet növekedtével azonban éppen a hőmozgás miatt mindig akadnak elektronok, melyek rendelkeznek akkora energiával, hogy a vezetési sávba jussanak, így a vezetés megindulhat. A vezetőképesség (σ) arányos a részecskeszámmal:
ahol ne az elektronok száma a vezetési sávban, e az elektron töltése és µ az elektronok mozgékonysága. A termikus gerjesztéssel a vezetési sávba került elektronok száma, ne, a T hőmérséklettel és a tiltott sáv Et szélességével exponenciálisan változik:
ahol k a (6.6) összefüggés során már megismert Boltzmann-állandó. Ezek szerint a félvezető vezetőképessége a hőmérséklettel exponenciálisan nő. Természetesen a hőmérséklet növekedése a statisztikus hőmozgás erősödésével is jár – éppúgy, mint a fémeknél –, ám a töltéshordozók számának növekedése jóval erősebb hatású. Amíg tehát egy fém vezetőképessége a hőmérséklet növekedésével csökken, addig a félvezetőé növekszik. De nem csak ezek miatt.
A vezetésnek ezúttal van egy másik, az előzőtől teljesen különböző, ám az előzővel parallel mechanizmusa is. Hogyan is kerülnek az elektronok a vezetési sávba? Nyilván a vegyértéksávból, vagyis a vegyértékelektronok közül. Ezek helyén pedig pozitív töltésű „lyukak” maradnak. Csakhogy egy lyuk nagyon könnyen eltűnhet, ha egy szomszédos elektron betölti azt – miközben persze új lyuk keletkezik az elektron helyén a szomszédban. Ha mondjuk az elektronok az elektromos tér hatására jobbról balra áramlanak, könnyű belátni, hogy ugyanakkor formálisan a lyukak balról jobbra mozognak. Ily módon a vegyértékelektronok a lyukakon keresztül vándorolnak, avagy a lyukak mozognak – éppen az elektronokkal ellenkező irányba. A vezetési sáv elektronjain kívül tehát a vegyértéksáv lyukai is részt vesznek a vezetésben. A termikus gerjesztéssel nemcsak a vezetési sávba kerülő elektronok száma, hanem pontosan ugyanolyan mennyiségben a vegyértéksávban generált lyukak száma is nő, a félvezető ellenállása a hőmérséklet növekedtével tehát ezáltal is csökken. Ha egy félvezető, mondjuk szilícium kristályrácsában egy szilíciumatomot pl. foszforral helyettesítünk, szegény foszforatom, miután négy elektronjával a négy szomszédos szilíciummal kovalens kötéseket hozott létre, az ötödik elektronjával nem tud mit kezdeni. Ez az elektron így nem is vesz részt a kristály sávrendszerében, ott marad lokalizálva a foszforon. De nem sokáig. Nézzük csak meg, mi történik, ha ez a lokalizált elektron kölcsönhat a kristály sávrendszerével (
11.28. ábra). A foszforatomok árva elektronjai valahol a szilícium tiltott sávjába ékelődnek, meglehetősen közel a vezetési sáv aljához. Ezért igen kis termikus energia is elegendő ahhoz, hogy ezek az elektronok a vezetési sávba jussanak, és ezáltal szabaddá váljanak. A foszfor tehát elektrondonorként viselkedik. Azzal, hogy foszforral „szennyeztük” az anyagot, extra elektronokat nyertünk, melyek nagymértékben megnövelik a félvezető vezetését. Ekkor már nem igaz, hogy a félvezetőben az elektronok és lyukak száma megegyezik, a negatív töltéshordozók száma megnőtt. Az így szennyezett félvezetőt
ntípusúnak nevezzük. Az elmondottak alapján az is logikusan következik, hogy a szokásos adalékkoncentrációk esetén a Fermi-szint a tiltott sáv közepéről felfelé, a szennyező szintek fölé tolódik. Teljesen analóg leírást adhatunk, ha foszfor helyett mondjuk indium- vagy bóratomokkal szennyezzük a szilíciumot. Ezeken az atomokon a szilíciumhoz képest egy vegyértékelektronnal kevesebb van, ám valamelyik szomszédtól viszonylag kis energiával elorozhatnak egyet, így egy elektronhiányt, lyukat generálhatnak. A
11.28. ábra szerint a bóratomok üres
akceptorszintjei ugyancsak a tiltott sávban helyezkednek el, ezúttal azonban a vegyértéksáv felső határa közelében. Ezért könnyen betöltődhetnek a vegyértéksáv elektronjaival, miközben lyukak maradnak vissza. Az akceptoratomok tehát a pozitív töltéshordozók számát növelik meg, ezért az ilyen félvezetőt
ptípusúnak nevezzük.
Látható tehát, hogy a szennyezett félvezető vezetését alacsony hőmérsékleten teljes egészében a szennyező határozza meg, hiszen sokkal könnyebben hoz létre elektronokat a vezetési sávban (n-típusú félvezető), illetve lyukakat a vegyérték sávban (p-típusú félvezető), mint a tiszta anyag. A hőmérséklet növekedésével egyre több elektron kerül a vezetési sávba (n-típusú félvezető), illetve egyre több lyuk alakul ki a vegyérték sávban (p-típusú félvezető), mígnem aztán a szennyező szintek kimerülnek: elfogy az elektron a donorszinteken, illetve nincs több üres hely az akceptorszinteken. Ettől kezdve megváltozik a vezetés jellege: már csak a vegyértéksávból kerülhet újabb elektron a vezetési sávba, vagyis a kristály sajátvezetővé válik. A hőmérséklet további emelésével a sajátvezető jelleg lesz az uralkodó.
Most pedig variáljunk egy csöppet, és rakjunk össze két különböző fémet. Természetesen az „összerakás” nem összeérintést, sokkal inkább összeforrasztást jelent, vagyis a két kristály felületét a lehető legszorosabban egymáshoz passzítjuk. A 11.29. ábra szerint a közös érintkezési felület mentén a betöltött szintek energiája nem azonos (miért is lenne az?), ezért az elektronok a magasabb potenciálú helyről az alacsonyabb potenciálú felé vándorolnak. Eközben a két fém Fermi-szintjei is változnak, a magasabb Fermi-szint süllyed, az alacsonyabb emelkedik, egyszóval közelednek egymáshoz. Egyensúly akkor áll be, ha az elektronok potenciálja a közös felület mentén kiegyenlítődik, ami egyben közös Fermi-szintet is feltételez. Ennek viszont ára van: a fém, melyről az elektronok átfolynak a másikra, pozitívvá, a másik fém, ahová átfolynak, negatívvá válik. Ha valakit e jelenség az elektródpotenciál kialakulására emlékeztetne, az nem a véletlen műve! Nemcsak egy elektród és az elektrolit között, de két fémfelület között is potenciálkülönbség alakulhat ki. Ezúttal azonban ionok nem, csupán elektronok áramlanak egyik helyről a másikra. Mivel a kialakuló potenciálkülönbség a hőmérséklet változásával változik, a jelenség a hőmérséklet mérésére alkalmazható. Ennek alapján működik a termoelem.
Seebeck-effektus
1821-ben Thomas Seebeck felfedezte, hogy ha két különböző fémet összeforrasztunk, a forrasztási pontnál a hőmérséklettől függő feszültség ébred. Ha pedig két ilyen forrasztási pont hőmérséklete különbözik, akkor a rendszer áramot generál. Két évvel később Hans Ørsted adta a jelenségnek a termoelektromos effektus elnevezést.
A jelenségen alapulnak a termoelemek, melyekkel egyszerűen és pontosan mérhető a hőmérséklet, és a termoelektromos generátorok, melyek feszültségforrásként működtethetők. A Mars felszínén például jó ideje megbízhatóan működik a NASA Perseverance nevű terepjárója, amelynek energiaforrása egy PuO2 egység, mely radioaktív bomlása során hőt termel. Ez a hő táplál egy termoelektromos generátort, és ez hajtja a terepjáró motorját.
A jelenség megfordítottját 1834-ben Jean Peltier fedezte fel: ha két fém közötti átmeneteken elektromos áram folyik keresztül, az átmenetek hőmérséklete különbözni fog. A Peltier-effektust mozgó alkatrészek nélküli hűtésre használják.
Vizsgáljuk meg ugyanezt a jelenséget félvezetőknél! Illesszünk össze két félvezetőt, az egyszerűség kedvéért legyen mindkettő azonos, pl. szilícium, Az egyedüli különbség kettejük között az eltérő szennyezés, legyen az egyik p- a másik n-típusú (
11.30. ábra). A
pn átmenet mentén ismét csak megindulhat a töltések vándorlása, egészen addig, míg a Fermi-szintek ki nem egyenlítődnek. Ehhez az n-részből elektronok áramlanak át az üres akceptorszintek felé, a p-részből pedig lyukak áramlanak visszafelé. Az átmenet környezetében az n-típusú félvezető pozitívvá, a p-típusú negatívvá válik. Egyensúlyban a keletkező elektromos potenciálkülönbség éppen kompenzálja a diffúzióból származó töltésáramlást. A kialakult potenciálkülönbség miatt megváltozik a sávok helyzete is, az n-típusú félvezető sávjai lejjebb, a p-típusúé feljebb emelkednek. Az átmenet közvetlen környezetében a töltéshordozók száma drasztikusan lecsökken, a félvezető ellenállása praktikusan a tiszta félvezető ellenállásával válik azonossá.
Mi történik, ha erre a szerkezetre külső egyenfeszültséget kapcsolunk? Amennyiben az n-típusú félvezetőre pozitív feszültséget, a p-oldalra negatívat kapcsolunk, a még jelen levő töltéshordozókat is „kiszívjuk” az átmenet tartományából. Az átmeneti tartomány ezért szélesedik, így az áram nem vagy csak nagyon kicsit tud folyni. Cseréljük fel most a pólusokat! A pozitívvá vált n-típusú oldalra a negatív pólus nyomja az elektronokat, a p-típusú oldalra a pozitív pólus a lyukakat. Az elektronok és lyukak áramlása megindul, a kristály jól vezet. Az áram irányától fog függeni az ellenállás! Ha például váltakozó feszültséget kapcsolunk a kristály két végére, az az egyik irányban „nyit”, a másikban „zár”, vagyis egyenirányítóként működik. Az elmondottak alapján működik a dióda.
A mai elektronika vitathatatlanul legfontosabb anyagai a félvezetők. Félvezetők a modern elektronikus eszközök döntő többségének az alapjai, ezekből készítik a tranzisztorokat, integrált áramköröket, a napelemeket, a fényemittáló és lézerdiódákat és számtalan egyéb, a mindennapi életben használatos eszközt. Néhány, a gyakorlatban hasznos félvezető anyagot és tiltott sávszélességüket a
11.5. táblázatban adtuk meg.
11.5. táblázat. Néhány félvezető anyag tiltott sávszélességeanyag | tiltott sáv szélessége [kJ/mol] |
Si | |
Ge | |
InSb | |
InAs | |
InP | |
GaP | |
GaAs | |
GaSb | |
ZnO | |
ZnS |
|