Veszprémi Tamás

Általános kémia

Negyedik, átdolgozott kiadás

4. kiad.


11.1.5.1. Szilárd testek elektromos vezetése

Fémek kristályrácsában, ahogy az 5.1.3. pontban utaltunk is rá, a rácspontokon pozitív fémionok helyezkednek el, a rácspontok között pedig szabadon – de nem akadálytalanul – elektronok áramlanak. Mivel a fémekben a vegyérték- és vezetési sávok összeolvadnak, az elektronok delokalizált mozgásához nem szükséges extra energia, éppen elegendő számú elektron jut a vezetési sávba. Az áramvezetés azon alapul, hogy a külső elektromos tér hatására megindul a mozgékony elektronok rendezett áramlása. Természetesen nem az összes elektron vesz részt a vezetésben, csupán a vezetési sávban lévő „néhány”. A belső elektronok lokalizáltak, nem vezetnek. A szabad elektronok koncentrációja 1028–1029 elektron/m3, viszont éppen elegendő ahhoz, hogy a fém jól vezesse az elektromosságot. Ugyanakkor a rácsatomok rezgése miatt az elektronok a rácsatomokkal ütköznek, és azokon szóródnak. Ez az effektus az elektronok rendezett áramlása ellen dolgozik, és a hőmérséklet növekedtével egyre erősebb. Mindebből az következik, hogy fémek elektromos ellenállása T növekedésével nő. Úgy becsülhető, hogy ha szobahőmérsékletről 300 °C-ra melegítjük, a fém ellenállása nagyjából a duplájára nő.
 
11.25. ábra. A hőmérséklet hatása egy fém energiaszintjeinek betöltődésére
 
A 11.25. ábrán azt látjuk, hogy egy félig betöltött sáv hogyan viselkedik a hőmérséklet növekedése során. Nem árulunk el nagy titkot azzal, hogy az abszolút nulla fokon beálló tökéletes rendezettség a hőmérséklet növekedésével „szétkenődik”, az elektronok fokozatosan egyre magasabb szinteket népesítenek be. Minél nagyobb a hőmérséklet, annál elmosódottabb a határ a betöltött és az üres szintek között. Az ábra jobboldalán látható diagram az egyedi szintek betöltődési valószínűségét mutatja: ha egy szint két elektronnal van betöltve, a p valószínűség 1, ha üres, akkor 0. T=0 fokon a valószínűségi függvénynek éles határa van, hiszen egy szinten vagy két elektron foglal helyet, vagy egy sem. Ez a határ a hőmérséklet növekedésével egyre jobban elmosódik, mivel az eddig kétszeresen betöltött szintek betöltődése csökken, az eddig üresen álló szinteké pedig nő. Az 50%-os betöltési valószínűség azonban (ha feltételezzük a sávban az energiaszintek egyenletes eloszlását) a helyén marad. Ezt az energiaszintet Fermiszintnek nevezzük.
A szilícium, germánium és még számos anyag tiltott sávjának szélessége nem nulla, ám viszonylag kicsi. Az ilyen anyagokat félvezetőknek nevezzük. A félvezetők elektronokkal telített vegyértéksávjában az elektronok rögzítettek és legfeljebb csak mocorogni képesek, nagy távolságokba eljutni nem. A szabad mozgáshoz az elektronokat a vezetési sávba kell „gerjeszteni”, ahol már vezetési mechanizmusuk hasonló a fémekéhez, hiszen az elektronok itt már teljesen delokalizáltak, vagyis ha a félvezetőre külső feszültséget kapcsolunk, megindul az elektronok szabad áramlása. Az elektronok száma – 1016–1019/m3 – persze ez esetben jóval kisebb, mint a fémekben. Természetesen ezúttal a vegyértéksávból a vezetési sávba való gerjesztés energiabefektetéssel jár, de erre az energiára a statisztikus hőmozgás következtében a hőmérséklettől függően az elektronok szert tehetnek.
A gyémánt tiltott sávja igen széles. Az elektronok ebben az esetben is csak a vezetési sávban mozoghatnának. És minthogy a gyémánt vezetési sávjában nincsenek, és könnyen nem is kerülhetnek elektronok, nem is képes az elektromosságot vezetni: a gyémánt szigetelő.
 
11.26. ábra. Fémek, félvezetők és szigetelők vezetőképessége
 
A vezetők, félvezetők és szigetelők vezetőképessége között hatalmas, kb. 30 nagyságrend különbség van (11.26. ábra).
 
11.27. ábra. A hőmérséklet hatása egy félvezető energiaszintjeinek betöltődésére
 
A félvezetők vezetési mechanizmusa más, mint a fémeké. T=0 K-en nincs vezetés, mivel a vezetési sáv üres (11.27. ábra). A hőmérséklet növekedtével azonban éppen a hőmozgás miatt mindig akadnak elektronok, melyek rendelkeznek akkora energiával, hogy a vezetési sávba jussanak, így a vezetés megindulhat. A vezetőképesség (σ) arányos a részecskeszámmal:
 
σ = ne · e · µ,
(11.5)
 
ahol ne az elektronok száma a vezetési sávban, e az elektron töltése és µ az elektronok mozgékonysága. A termikus gerjesztéssel a vezetési sávba került elektronok száma, ne, a T hőmérséklettel és a tiltott sáv Et szélességével exponenciálisan változik:
 
(11.6)
 
ahol k a (6.6) összefüggés során már megismert Boltzmann-állandó. Ezek szerint a félvezető vezetőképessége a hőmérséklettel exponenciálisan nő. Természetesen a hőmérséklet növekedése a statisztikus hőmozgás erősödésével is jár – éppúgy, mint a fémeknél –, ám a töltéshordozók számának növekedése jóval erősebb hatású. Amíg tehát egy fém vezetőképessége a hőmérséklet növekedésével csökken, addig a félvezetőé növekszik. De nem csak ezek miatt.
A vezetésnek ezúttal van egy másik, az előzőtől teljesen különböző, ám az előzővel parallel mechanizmusa is. Hogyan is kerülnek az elektronok a vezetési sávba? Nyilván a vegyértéksávból, vagyis a vegyértékelektronok közül. Ezek helyén pedig pozitív töltésű „lyukak” maradnak. Csakhogy egy lyuk nagyon könnyen eltűnhet, ha egy szomszédos elektron betölti azt – miközben persze új lyuk keletkezik az elektron helyén a szomszédban. Ha mondjuk az elektronok az elektromos tér hatására jobbról balra áramlanak, könnyű belátni, hogy ugyanakkor formálisan a lyukak balról jobbra mozognak. Ily módon a vegyértékelektronok a lyukakon keresztül vándorolnak, avagy a lyukak mozognak – éppen az elektronokkal ellenkező irányba. A vezetési sáv elektronjain kívül tehát a vegyértéksáv lyukai is részt vesznek a vezetésben. A termikus gerjesztéssel nemcsak a vezetési sávba kerülő elektronok száma, hanem pontosan ugyanolyan mennyiségben a vegyértéksávban generált lyukak száma is nő, a félvezető ellenállása a hőmérséklet növekedtével tehát ezáltal is csökken. Ha egy félvezető, mondjuk szilícium kristályrácsában egy szilíciumatomot pl. foszforral helyettesítünk, szegény foszforatom, miután négy elektronjával a négy szomszédos szilíciummal kovalens kötéseket hozott létre, az ötödik elektronjával nem tud mit kezdeni. Ez az elektron így nem is vesz részt a kristály sávrendszerében, ott marad lokalizálva a foszforon. De nem sokáig. Nézzük csak meg, mi történik, ha ez a lokalizált elektron kölcsönhat a kristály sávrendszerével (11.28. ábra). A foszforatomok árva elektronjai valahol a szilícium tiltott sávjába ékelődnek, meglehetősen közel a vezetési sáv aljához. Ezért igen kis termikus energia is elegendő ahhoz, hogy ezek az elektronok a vezetési sávba jussanak, és ezáltal szabaddá váljanak. A foszfor tehát elektrondonorként viselkedik. Azzal, hogy foszforral „szennyeztük” az anyagot, extra elektronokat nyertünk, melyek nagymértékben megnövelik a félvezető vezetését. Ekkor már nem igaz, hogy a félvezetőben az elektronok és lyukak száma megegyezik, a negatív töltéshordozók száma megnőtt. Az így szennyezett félvezetőt ntípusúnak nevezzük. Az elmondottak alapján az is logikusan következik, hogy a szokásos adalékkoncentrációk esetén a Fermi-szint a tiltott sáv közepéről felfelé, a szennyező szintek fölé tolódik. Teljesen analóg leírást adhatunk, ha foszfor helyett mondjuk indium- vagy bóratomokkal szennyezzük a szilíciumot. Ezeken az atomokon a szilíciumhoz képest egy vegyértékelektronnal kevesebb van, ám valamelyik szomszédtól viszonylag kis energiával elorozhatnak egyet, így egy elektronhiányt, lyukat generálhatnak. A 11.28. ábra szerint a bóratomok üres akceptorszintjei ugyancsak a tiltott sávban helyezkednek el, ezúttal azonban a vegyértéksáv felső határa közelében. Ezért könnyen betöltődhetnek a vegyértéksáv elektronjaival, miközben lyukak maradnak vissza. Az akceptoratomok tehát a pozitív töltéshordozók számát növelik meg, ezért az ilyen félvezetőt ptípusúnak nevezzük.
 
11.28. ábra. n- és p-típusú szennyezések hatása félvezetők sávszerkezetére. A piros nyilak azt mutatják, hogy a donorszintekről a vezetési sávba, a vegyértéksávból viszont az akceptorszintekre juthatnak elektronok. Ezáltal az n-típusú félvezetőben az elektronok, a p-típusúban a lyukak száma nő. Figyeljük meg, hogy a szennyezés hatására a Fermi-szint helyzete megváltozott.
 
Látható tehát, hogy a szennyezett félvezető vezetését alacsony hőmérsékleten teljes egészében a szennyező határozza meg, hiszen sokkal könnyebben hoz létre elektronokat a vezetési sávban (n-típusú félvezető), illetve lyukakat a vegyérték sávban (p-típusú félvezető), mint a tiszta anyag. A hőmérséklet növekedésével egyre több elektron kerül a vezetési sávba (n-típusú félvezető), illetve egyre több lyuk alakul ki a vegyérték sávban (p-típusú félvezető), mígnem aztán a szennyező szintek kimerülnek: elfogy az elektron a donorszinteken, illetve nincs több üres hely az akceptorszinteken. Ettől kezdve megváltozik a vezetés jellege: már csak a vegyértéksávból kerülhet újabb elektron a vezetési sávba, vagyis a kristály sajátvezetővé válik. A hőmérséklet további emelésével a sajátvezető jelleg lesz az uralkodó.
 
11.29. ábra. Két különböző fémfelület között kialakuló kontaktpotenciál. Egyensúlyban a két fém Fermi-szintje megegyezik. Ugyanakkor a két fém között elektromos potenciálkülönbség lép fel.
 
Most pedig variáljunk egy csöppet, és rakjunk össze két különböző fémet. Természetesen az „összerakás” nem összeérintést, sokkal inkább összeforrasztást jelent, vagyis a két kristály felületét a lehető legszorosabban egymáshoz passzítjuk. A 11.29. ábra szerint a közös érintkezési felület mentén a betöltött szintek energiája nem azonos (miért is lenne az?), ezért az elektronok a magasabb potenciálú helyről az alacsonyabb potenciálú felé vándorolnak. Eközben a két fém Fermi-szintjei is változnak, a magasabb Fermi-szint süllyed, az alacsonyabb emelkedik, egyszóval közelednek egymáshoz. Egyensúly akkor áll be, ha az elektronok potenciálja a közös felület mentén kiegyenlítődik, ami egyben közös Fermi-szintet is feltételez. Ennek viszont ára van: a fém, melyről az elektronok átfolynak a másikra, pozitívvá, a másik fém, ahová átfolynak, negatívvá válik. Ha valakit e jelenség az elektródpotenciál kialakulására emlékeztetne, az nem a véletlen műve! Nemcsak egy elektród és az elektrolit között, de két fémfelület között is potenciálkülönbség alakulhat ki. Ezúttal azonban ionok nem, csupán elektronok áramlanak egyik helyről a másikra. Mivel a kialakuló potenciálkülönbség a hőmérséklet változásával változik, a jelenség a hőmérséklet mérésére alkalmazható. Ennek alapján működik a termoelem.
 
Seebeck-effektus
1821-ben Thomas Seebeck felfedezte, hogy ha két különböző fémet összeforrasztunk, a forrasztási pontnál a hőmérséklettől függő feszültség ébred. Ha pedig két ilyen forrasztási pont hőmérséklete különbözik, akkor a rendszer áramot generál. Két évvel később Hans Ørsted adta a jelenségnek a termoelektromos effektus elnevezést.
A jelenségen alapulnak a termoelemek, melyekkel egyszerűen és pontosan mérhető a hőmérséklet, és a termoelektromos generátorok, melyek feszültségforrásként működtethetők. A Mars felszínén például jó ideje megbízhatóan működik a NASA Perseverance nevű terepjárója, amelynek energiaforrása egy PuO2 egység, mely radioaktív bomlása során hőt termel. Ez a hő táplál egy termoelektromos generátort, és ez hajtja a terepjáró motorját.
A jelenség megfordítottját 1834-ben Jean Peltier fedezte fel: ha két fém közötti átmeneteken elektromos áram folyik keresztül, az átmenetek hőmérséklete különbözni fog. A Peltier-effektust mozgó alkatrészek nélküli hűtésre használják.
 
11.30. ábra. Két félvezető felület közötti p-n átmenet kialakulása. Az n-típusúból elektronok diffundálnak a p-be, a p-ből lyukak az n-be. Ezért az n-oldal pozitív, a p-oldal negatív lesz. Az ábra kicsit félrevezető, ugyanis a töltések áramlása csak az átmenet közvetlen közelében megy végbe
 
Vizsgáljuk meg ugyanezt a jelenséget félvezetőknél! Illesszünk össze két félvezetőt, az egyszerűség kedvéért legyen mindkettő azonos, pl. szilícium, Az egyedüli különbség kettejük között az eltérő szennyezés, legyen az egyik p- a másik n-típusú (11.30. ábra). A pn átmenet mentén ismét csak megindulhat a töltések vándorlása, egészen addig, míg a Fermi-szintek ki nem egyenlítődnek. Ehhez az n-részből elektronok áramlanak át az üres akceptorszintek felé, a p-részből pedig lyukak áramlanak visszafelé. Az átmenet környezetében az n-típusú félvezető pozitívvá, a p-típusú negatívvá válik. Egyensúlyban a keletkező elektromos potenciálkülönbség éppen kompenzálja a diffúzióból származó töltésáramlást. A kialakult potenciálkülönbség miatt megváltozik a sávok helyzete is, az n-típusú félvezető sávjai lejjebb, a p-típusúé feljebb emelkednek. Az átmenet közvetlen környezetében a töltéshordozók száma drasztikusan lecsökken, a félvezető ellenállása praktikusan a tiszta félvezető ellenállásával válik azonossá.
Mi történik, ha erre a szerkezetre külső egyenfeszültséget kapcsolunk? Amennyiben az n-típusú félvezetőre pozitív feszültséget, a p-oldalra negatívat kapcsolunk, a még jelen levő töltéshordozókat is „kiszívjuk” az átmenet tartományából. Az átmeneti tartomány ezért szélesedik, így az áram nem vagy csak nagyon kicsit tud folyni. Cseréljük fel most a pólusokat! A pozitívvá vált n-típusú oldalra a negatív pólus nyomja az elektronokat, a p-típusú oldalra a pozitív pólus a lyukakat. Az elektronok és lyukak áramlása megindul, a kristály jól vezet. Az áram irányától fog függeni az ellenállás! Ha például váltakozó feszültséget kapcsolunk a kristály két végére, az az egyik irányban „nyit”, a másikban „zár”, vagyis egyenirányítóként működik. Az elmondottak alapján működik a dióda.
A mai elektronika vitathatatlanul legfontosabb anyagai a félvezetők. Félvezetők a modern elektronikus eszközök döntő többségének az alapjai, ezekből készítik a tranzisztorokat, integrált áramköröket, a napelemeket, a fényemittáló és lézerdiódákat és számtalan egyéb, a mindennapi életben használatos eszközt. Néhány, a gyakorlatban hasznos félvezető anyagot és tiltott sávszélességüket a 11.5. táblázatban adtuk meg.
 
11.5. táblázat. Néhány félvezető anyag tiltott sávszélessége
anyag
tiltott sáv szélessége [kJ/mol]
Si
113
Ge
71
,4
InSb
25
,1
InAs
41
,5
InP
137
GaP
224
GaAs
146
,7
GaSb
78
,2
ZnO
332
ZnS
377
,2
 
 
ITO, avagy hogyan vezetheti az áramot egy átlátszó anyag?
A 11.2511.27. ábrák alapján értelmezhető, hogy a fémek jó vezetők, de ugyanakkor még igen vékony rétegben is átlátszatlanok. Ha viszont a tiltott sáv elég széles, akkor az anyag átlátszó ugyan, de nem vezet. Úgy tűnik, a kétfajta tulajdonság szorosan együtt jár. De nem mindig.
Az indium-oxid (In2O3) félvezető, tiltott sávszélessége körülbelül akkora, mint a cink-szulfidé – 360–370 kJ/mol – vagyis tökéletesen átlátszó. Ha ónnal szennyezzük, n-típusú félvezetőhöz jutunk, melyben egyes indiumatomokat ónatomok helyettesítenek a kristályrácsban. Az ónatomokhoz tartozó donorszintek, ahogy az várható, a tiltott sávban találhatók, közel az indium-oxid vezetési sávjához. Ha viszont a szennyező koncentrációját erőteljesen megnöveljük, mondjuk úgy 5–10%-ig – ez már nem is szennyező, inkább ötvözőanyag –, a mindeddig magányos donorszintek is kombinálódni fognak, vagyis egy új sáv jön létre, mely összeolvad az eredeti vezetési sávval. A sávszerkezet tehát megváltozik: a kialakuló új vezetési sáv már tekintélyes számú töltéshordozót tartalmaz.
A következmény drámai: az ITO (Indium Tin Oxide) kitűnően vezeti az áramot (vezetőképessége 103–104 Ω–1cm–1), ugyanakkor teljesen átlátszó, vagyis a látható fényt nem képes elnyelni. Az infravörös sugárzást viszont a vezetési sáv elektronjai elnyelik és visszatükrözik. Mire használható az ITO? Használják napelemekhez, LCD-tévék, laptopok, okostelefonok képernyőjéhez (melyeknél a transzparencia létfontosságú, de az egyes képpontokat össze is kell kötni valahogy), antisztatikus bevonatok készítéséhez, elektrokromatikus ablakok bevonatához, repülőgépek pilótafülkéinek ablakaihoz, a jegesedés elkerülésére. Ugyancsak felhasználják ún. intelligens üvegek készítéséhez, melyek nyári melegben visszatükrözik a hőt, télen viszont a benti meleget a szobában tartják. Egyszóval az anyag ma, a „high-tech” világában igazi sztár.
Sajnos a Föld indiumkészlete meglehetősen csekély és a széles körű felhasználás miatt belátható időn belül el is fog fogyni. Ezért napjainkban intenzív kutatás folyik hasonló anyagok kifejlesztésére. Számos ígéretes Al-, Ga- és Zn-alapú átlátszó vezetőt fejlesztettek már ki (AZO, GZO – vajon mit is jelentenek e rövidítések?), azonban jelenleg még az ITO kitűnő tulajdonságai utolérhetetlennek tűnnek.
 
Szupravezetés
1911-ben a holland Heike Kamerlingh Onnes (ha nem emlékszik valaki e névre, lapozzon gyorsan az (5.22) egyenlethez) megfigyelte, hogy a higany elektromos ellenállása 4,2 K-en hirtelen megszűnik. Az világos, és az elmondottak alapján természetes, hogy fémek ellenállása a hőmérséklet csökkenésével csökken, ám ez esetben a csökkenés nem fokozatos, hanem ugrásszerű, a maradék ellenállás pedig egyszerűen zérus, de legalábbis mérhetetlenül kicsi volt. A jelenséget szupravezetésnek nevezte. A következő években-évtizedekben számos egyéb szupravezető fémet találtak.
A szupravezetőben az elektronok egy bizonyos hőmérséklet alatt párokba rendeződnek. Az így létrejövő, ún. Cooperpárok spinje zérus, vagyis bozonoknak tekinthetők. A Pauli-elv értelmében pedig a rendszerben található összes Cooper-pár energiája azonossá válik. Az energia csak kvantáltan, ugrásszerűen változhat meg, így lesz egy minimális energia, aminek meg kell lennie ahhoz, hogy a Cooper-párok árama meginduljon. Ha viszont ez nagyobb, mint a kristályrács rezgési energiája, akkor a rács nem tudja átvenni az elektronpároktól. Vagyis már nem akadályozhatja mozgásukat, és így azok nem is veszítenek energiát. A Cooper-párokba rendeződött elektronok mozgása hasonló a hélium szuperfolyékonyságához.
Hogyan mérhető a szupravezető tulajdonság? Egy gyűrűben áramot hozunk létre, és az áram által létrejött mágneses mező időbeli változását mérjük. Ha az anyag szupravezető, képes az áramot feszültség jelenléte nélkül is fenntartani. A kísérletek igazolják, hogy szupravezető tekercsekben az áram mérhető csökkenés nélkül évekig fenntartható. Elméleti számítások szerint, míg a világ világ, az áram fennmarad!
1986-ban új fordulatot hozott a történetben Bednorz és Müller német fizikusok felfedezése, miszerint egy bárium-, lantán- és réztartalmú oxid egészen 30 K-ig szupravezető! Ez két okból is rendkívüli: egyrészt, mert az addig ismert anyagok legfeljebb csak néhány kelvinig voltak csak szupravezetők, másrészt, mert az új anyag egy bonyolult szerkezetű kerámia, mely normál körülmények között éppen hogy szigetelő! A felfedezésért a következő évben annak rendje s módja szerint Nobel-díjat kaptak. Nem meglepő, hogy ezután óriási verseny indult minél magasabb hőmérsékletű szupravezetők előállítása érdekében.
Hosszú ideig a „világcsúcsot” a HgBa2Ca2Cu3O8 összetételű kerámia-anyag tartotta 134 K-es kritikus hőmérséklettel. 2015-ben azonban bebizonyosodott, hogy az egyszerű kén-hidrogén is szupravezető – csak éppen jó nagy, 153 GPa nyomáson. Ott viszont egészen 203 K hőmérsékletig. A legújabb kutatások még ezt is túlszárnyalták. A lantán-hidrid és az ittrium-hidrid 170 GPa nyomáson egészen 250 K-ig szupravezető. Sőt, elméleti számítások alapján megjósolták, hogy a hidrogén kb. 500 GPa nyomáson már szobahőmérsékleten is szupravezetővé válik.
 
11.31. ábra. A Maglev szuperexpressz Shanghaiban (Forrás: Wikipédia, License: Public Domain) és a szupravezető sín közelről
 
Szupravezetőket speciális célokra már ma is használnak. Szupravezető mágnesek helyettesítik a nagy energiafelhasználás miatt drága hagyományos elektromágneseket az NMR-spektrométerekben, a sok kilométer átmérőjű részecskegyorsítókban, vagy a gyógyászatban (MRI-készülék). A Sanghaj melletti, 400–500 km/h sebességgel haladó maglev expressz is szupravezető síneken közlekedik (11.31. ábra). A felhasználás bővülését jelzi, hogy a Furukawa cég néhány éve új gyárat hozott létre szupravezető szalagok előállítására.
 
(Irodalom: Science, 351, kötet, 1260. oldal, 2016, és Nature, 569. kötet, 528. oldal, 2019.)
 

Általános kémia

Tartalomjegyzék


Kiadó: Akadémiai Kiadó

Online megjelenés éve: 2026

Nyomtatott megjelenés éve: 2026

ISBN: 978 963 664 114 6

A kémiának számos ága létezik (szerves, szervetlen, fizikai, analitikai, bio- és polimer-kémia stb.), de általános kémia nevű diszciplínát nem ismerünk. Mégis: a General Chemistry, Allgemeine Chemie, Общая химия kifejezések jól ismertek az egész világon. A világ minden részén százszámra találhatók ilyen címmel könyvek, és aligha van olyan egyetemi kémia fakultás, ahol ez a tantárgy ismeretlen. Az általános kémia kurzusok és könyvünk célja az, hogy az olvasó középiskolából hozott kémiai ismereteit olyan szintre segítse, amelyre a fenti szaktárgyak alapozhatnak. Feladata az alapfogalmak definiálása, mintegy a kémiai nyelv alapszókincsének megismertetése, a fontosabb fizikai és kémiai jelenségek és összefüggések megvilágítása.

A könyv több – tipográfiailag is elkülönített – szinten használható. Anyaga a középiskolai kémiától elvezet az egyetemek másod- és harmadéves fizikai kémia tárgyáig. A fontos jelenségek mellé a haladók számára mélyebb magyarázatokat mellékel, melyeket a kezdők nyugodtan átugorhatnak anélkül, hogy ez gátolná a fő gondolat-menet megértését. Az olvasót számos érdekesség, tudománytörténeti kitekintés, rengeteg színes ábra, fénykép és több száz kidolgozott példa is segíti.

Könyvünk elsőrendű célja tehát adott: bevezetés vagy inkább átvezetés a felsőfokú kémiába. A megcélzott olvasókör is adott: érdeklődő középiskolásoknak éppúgy szól, mint első- és másodéves, kémiát tanuló egyetemi hallgatóknak. Emellett ajánlható a középiskolák kémiatanárainak is: számos, a középiskolákban is könnyen használható anyagot tartalmaz – másként, mint ahogyan a középiskolákban általában tanítani szokás. Végül, de nem utolsósorban ajánljuk a könyvet mindazoknak, akik bármikor, bármilyen szinten belekóstoltak vagy belemerültek a kémia izgalmas világába.

Hivatkozás: https://mersz.hu/altalanos-kemia-uj//

BibTeXEndNoteMendeleyZotero

Kivonat
fullscreenclose
printsave